セミナー

半導体製造プロセス入門

  • 2011年1月27日（木）開催
  • コード：20110127
概要 半導体デバイスの製造プロセス全工程について学習します。半導体デバイスの種類や用途、構造や動作原理などを概観した後、最も標準的かつ最先端でも用いられるCMOS LSIの製造方法を、長年半導体の製造実務に携わってきた講師陣がわかりやすく解説します。半導体製造における総合的な知識を習得することができます。
受講対象者 半導体装置メーカ、電子材料メーカ、半導体メーカの技術者や営業スタッフ、半導体を使うセットメーカや自動車・機械メーカの技術者など、半導体製造の各工程と全体構成を学習したい全ての方にオススメです。
講師 貝沼 庄作 氏
ソニー半導体事業部プロセス開発、及びソニー長崎、鹿児島などの工場で生産現場技術を永年担当した豊富な経験あり。

沢田 憲一
ソニー半導体事業部プロセス開発、及び生産現場指導の豊富な経験あり、ＩＳＯ－９０００審査員やＢＣＭ活動など半導体関連の多方面の仕事を活発に行っている。

池永 和夫
ソニー半導体事業部のパッケージ部長を始め、プリント基板工場の工場長など歴任し、パッケージや実装技術の専門家として活躍している。

※一部講師が変更になる場合がございます。
日時 2011年1月27日（木）
10:00～16:45
料金 39,000円（テキスト・昼食付き、消費税込み）
【早期割引】35,100円（12月27日までにお申込みの場合は、10%引きで受講いただけます。）
会場 東京・機械振興会館　B3階 B3-1号室
東京都港区芝公園3-5-8
プログラム 【１】　CMOS LSIの概要
　　１．１　半導体デバイスの種類とCMOS LSI
　　１．２　CMOS LSIの用途
【２】　CMOS LSIデバイス
　　２．１　CMOSデバイスの構造と動作
　　２．２　LSI化の問題点
【３】　CMOS LSIのプロセス技術 （前工程）
　　３．１　リソグラフィ
　　３．２　エッチング
　　３．３　CVD、スパッター
　　３．４　CMP
　　３．５　イオン注入
　　３．６　洗浄
【４】　パッケージ技術 （後工程）
　　４．１　ダイシング
　　４．２　ワイヤーボンディング
　　４．３　モールド
　　４．４　貫通電極・３次元スタック構造
【５】　工場の現状紹介、将来の技術展望
　　５．１　LSI生産に重要な歩留り
　　５．２　シリコンサイクルと設備投資
　　５．３　比例縮小則による性能と集積度向上
備考

セミナーカタログ
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